PVD 技术在半导体传感器中应用。
PVD 技术在互连技术中的应用。
金属互连作为半导体器件中实现信号传输与电能分配的关键结构，PVD 技术能够沉积出具有低电阻率的金属薄膜，确保信号在器件内部实现高效传输，有效减少信号衰减与延迟。与此同时，PVD 技术还可实现多层金属互连的精确制造，充分满足半导体器件日益增长的集成度需求。
PVD 技术在晶体管中的应用。
PVD 技术被广泛运用于栅极电极的沉积环节,通过精准把控 PVD 过程中的各项参数，诸如沉积速率、膜厚均匀性等，可以实现对栅极电极性能的高效优化。高质量的栅极电极能够显著提升晶体管的开关速度以及电流驱动能力，进而促使整个半导体器件的性能得以优化。
传感器需要对环境中的各类物理量进行精确检测，而 PVD 技术可以沉积出敏感薄膜，从而提升传感器的灵敏度和响应特性。例如，在压力传感器、温度传感器等领域，PVD 技术有助于实现高性能的敏感元件制造。
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